На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PHT6NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223 — Даташит

NXP PHT6NQ10T

Наименование модели: PHT6NQ10T

33 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 3 А, 0.09 Ом, SOT-223, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PHT6NQ10T.135
Nexperia
23 ₽
ЧипСити
Россия
PHT6NQ10T
NXP
47 ₽
Элитан
Россия
PHT6NQ10T
NXP
60 ₽
Utmel
Весь мир
PHT6NQ10T,135
Nexperia
от 76 ₽

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOSTM transistor
PHT6NQ10T
FEATURES

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.057 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
  • International Rectifier - AUIRS2112S

На английском языке: Datasheet PHT6NQ10T - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 6.5 A, SOT223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России