Datasheet PHT6NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: PHT6NQ10T
![]() 37 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 3 А, 0.09 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
PHT6NQ10T.135 Nexperia | 20 ₽ | ||
PHT6NQ10T NXP | 24 ₽ | ||
PHT6NQ10T,135 NXP | от 25 ₽ | ||
PHT6NQ10T,135 Nexperia | от 30 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOSTM transistor
PHT6NQ10T
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.057 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- International Rectifier - AUIRS2112S