Datasheet PHT6NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOSTM transistor
PHT6NQ10T
FEATURES

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.057 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• International Rectifier - AUIRS2112S