Datasheet PMG370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.96 А, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMG370XN
![]() 15 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 30V 960MA 6TSSOP / N-Channel 30 V 960mA (Ta) 690mW (Tc) Surface Mount 6-TSSOP | |||
PMG370XN,115 NXP | 6.32 ₽ | ||
PMG370XN,115 NXP | 6.32 ₽ | ||
PMG370XN,115 Nexperia | 21 ₽ | ||
PMG370XN NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.96 А, SOT363
Краткое содержание документа:
PMG370XN
N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev.
01 -- 13 February 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 960 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 690 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL