Datasheet PMV30XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 3.2 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: PMV30XN
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, PMV30XN - 20V,3.2A N沟道Trench MOSFET | |||
PMV30XN215 NXP | 8.65 ₽ | ||
PMV30XN215 NXP | 11 ₽ | ||
PMV30XN NXP | 104 ₽ | ||
PMV30XN215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 3.2 А, SOT23
Краткое содержание документа:
SO T2
PMV30XN
20 V, 3.2 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 22 June 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 380 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
RoHS: есть