Клеммные колодки Keen Side

Datasheet TK12E60U - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 12 А, TO220 — Даташит

Toshiba TK12E60U

Наименование модели: TK12E60U

6 предложений от 6 поставщиков
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
727GS
Весь мир
TK12E60U
Toshiba
20 ₽
AiPCBA
Весь мир
TK12E60U,S1X(S
Toshiba
305 ₽
LifeElectronics
Россия
TK12E60U,S1X(S
Toshiba
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
TK12E60U
по запросу

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 12 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK12E60U
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS )
TK12E60U
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0~5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 144 Вт
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • International Rectifier - AUIR2085S

На английском языке: Datasheet TK12E60U - Toshiba MOSFET, N CH, 600 V, 12 A, TO220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка