Datasheet TK12E60U - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 12 А, TO220 — Даташит
Наименование модели: TK12E60U
![]() 6 предложений от 6 поставщиков TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | |||
TK12E60U Toshiba | 20 ₽ | ||
TK12E60U,S1X(S Toshiba | 305 ₽ | ||
TK12E60U,S1X(S Toshiba | по запросу | ||
TK12E60U | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 12 А, TO220
Краткое содержание документа:
TK12E60U
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS )
TK12E60U
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0~5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 144 Вт
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- International Rectifier - AUIR2085S