Datasheet TK3P50D - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 3 А, DPAK 
Наименование модели: TK3P50D Производитель: Toshiba Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 3 А, DPAK Скачать Data Sheet
Краткое содержание документа: TK3P50D MOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS) TK3P50D 1. Applications · Switching Voltage Regulators
Спецификации: - Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Количество выводов: 3
RoHS: есть Дополнительные аксессуары: - Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
- National Semiconductor - LM3525M-H
- STMicroelectronics - TD351ID
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3А; 60Вт; DPAK
Рекомендуемые материалы по теме: - Datasheet TK40J60T(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 600 В, TO-3P
- Datasheet TK3A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 2.5 А, SC-67
- Datasheet GT50J102 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH)
- Datasheet GT50J325 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH)
- Datasheet FQA24N50 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна. Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта. |
|