Datasheet TK4A60DA - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, TO220SIS — Даташит
Наименование модели: TK4A60DA
![]() 24 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 35Вт, SC67 | |||
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba | 97 ₽ | ||
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba | от 130 ₽ | ||
TK4A60DA Toshiba | по запросу | ||
TK4A60DA (ST-STP4NK60ZFP) | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, TO220SIS
Краткое содержание документа:
TK4A60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 1.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 35 Вт
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- National Semiconductor - LM5101CMA