Datasheet TPC8120 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 16 А, SOP8 — Даташит
Наименование модели: TPC8120
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Trans Mosfet P-ch 30V 18A 8-PIN Sop T/r | |||
TPC8120(TE12L,Q,M) Toshiba | по запросу | ||
TPC8120 Toshiba | по запросу | ||
TPC8120-H Toshiba | по запросу | ||
TPC8120 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 16 А, SOP8
Краткое содержание документа:
TPC8120
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)
TPC8120
Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications
· · · · · Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.6 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| =80 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -30 V) Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -18 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0026 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
- Корпус транзистора: SOP
- Количество выводов: 8
RoHS: есть