Datasheet FS150R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK2 — Даташит
Наименование модели: FS150R12KE3
![]() 19 предложений от 16 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A 3-PHASE | |||
FS150R12KE3BOSA1 Infineon | 11 298 ₽ | ||
FS150R12KE3 | от 12 437 ₽ | ||
FS150R12KE3BOSA1 Infineon | 14 580 ₽ | ||
FS150R12KE3BOSA1 Infineon | 14 638 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK2
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorlдufige Daten preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Спецификации:
- DC Collector Current: 200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
- Рассеиваемая мощность: 700 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
- Корпус транзистора: Econopack 2
- Current Ic Continuous a Max: 150 А
- Current Temperature: 80°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 6
- Тип корпуса: Econopack 2
- Рассеиваемая мощность максимальная: 700 Вт
- Pulsed Current Icm: 300 А
- Способ монтажа: Solder
- Voltage Vce Sat Typ: 1.7 В
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть