Datasheet FS150R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK2 — Даташит

Купить FS150R12KE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7 459 до 58 758 ₽ 17 предложений от 15 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A 3-PHASE
Maybo Весь мир	FS150R12KE3BOSA1 Infineon	10 943 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FS150R12KE3 Infineon	11 391 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FS150R12KE3BOSA1 Infineon	14 179 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FS150R12KE3G - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK2

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorlдufige Daten preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Спецификации:

• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
• Рассеиваемая мощность: 700 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Корпус транзистора: Econopack 2
• Current Ic Continuous a Max: 150 А
• Current Temperature: 80°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 6
• Тип корпуса: Econopack 2
• Рассеиваемая мощность максимальная: 700 Вт
• Pulsed Current Icm: 300 А
• Способ монтажа: Solder
• Voltage Vce Sat Typ: 1.7 В
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть