Datasheet SI1315DL-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 8 В, 0.9 А, SOT323 — Даташит
Наименование модели: SI1315DL-T1-GE3
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, SOT-323-3P-CH 8V 900mA 500mΩ | |||
SI1315DL-T1-GE3 Vishay | 15 ₽ | ||
SI1315DL-T1-GE3 Vishay | 19 ₽ | ||
SI1315DL-T1-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SI1315DL-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 8 В, 0.9 А, SOT323
Краткое содержание документа:
New Product
Si1315DL
Vishay Siliconix
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -900 мА
- Drain Source Voltage Vds: -8 В
- On Resistance Rds(on): -0.280 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 400 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1315DLT1GE3, SI1315DL T1 GE3