Datasheet SI2366DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 5.8 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2366DS-T1-GE3
![]() 36 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI2366DS-T1-GE3 Vishay | 11 ₽ | ||
SI2366DS-T1-GE3 Vishay | от 30 ₽ | ||
SI2366DS-T1-GE3 Vishay | от 30 ₽ | ||
SI2366DS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 5.8 А, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
Si2366DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2366DST1GE3, SI2366DS T1 GE3