Datasheet SI2366DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 5.8 А, SOT23 — Даташит

Купить SI2366DS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.41 до 815 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23
AiPCBA Весь мир	SI2366DS-T1-GE3 Vishay	8.86 ₽	Купить
Триема Россия	SI2366DS-T1-GE3 Vishay	22 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI2366DS-T1-GE3 Vishay	от 27 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI2366DS-T1-GE3 Vishay	27 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 5.8 А, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si2366DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2366DST1GE3, SI2366DS T1 GE3