Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI2366DS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 5.8 А, SOT23 — Даташит

Vishay SI2366DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2366DS-T1-GE3

36 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЗУМ-СМД
Россия
SI2366DS-T1-GE3
Vishay
11 ₽
Эиком
Россия
SI2366DS-T1-GE3
Vishay
от 30 ₽
SI2366DS-T1-GE3
Vishay
от 30 ₽
Augswan
Весь мир
SI2366DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 5.8 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si2366DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2366DST1GE3, SI2366DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2366DS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W/D, 30 V, 5.8 A, SOT23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка