LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SI4048DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 19.3 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4048DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4048DY-T1-GE3

10 предложений от 7 поставщиков
N-Channel 30 V 19.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
SI4048DY-T1-GE3
Vishay
42 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4048DY-T1-GE3
Vishay
42 ₽
Akcel
Весь мир
SI4048DY-T1-GE3
Vishay
от 147 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4048DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 30 В, 19.3 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4048DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0085 at VGS = 10 V 0.0105 at VGS = 4.5 V ID (A)a 19.3 15 nC 17.3 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 19.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.007 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 5.7 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4048DYT1GE3, SI4048DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4048DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W/D, 30 V, 19.3 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России