Datasheet SI4447ADY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 40 В, 7.2 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4447ADY-T1-GE3
Купить SI4447ADY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 1 852 ₽ 25 предложений от 10 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 7.2 А, 0.036 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4447ADY-T1-GE3 Vishay | 12 ₽ | ||
SI4447ADY-T1-GE3 Vishay | 15 ₽ | ||
SI4447ADY-T1-GE3 Vishay | от 72 ₽ | ||
SI4447ADYT1GE3 | 1 852 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 40 В, 7.2 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4447ADY
Vishay Siliconix
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -7.2 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On Resistance Rds(on): 0.036 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 4.2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4447ADYT1GE3, SI4447ADY T1 GE3