HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4447ADY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 40 В, 7.2 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4447ADY-T1-GE3

Наименование модели: SI4447ADY-T1-GE3

25 предложений от 10 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 7.2 А, 0.036 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay
12 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay
15 ₽
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay
от 72 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4447ADYT1GE3
1 852 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 40 В, 7.2 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4447ADY
Vishay Siliconix
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEATURES

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -7.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.036 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 4.2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4447ADYT1GE3, SI4447ADY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4447ADY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W/D, 40 V, 7.2 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России