Клеммные колодки Keen Side

Datasheet SI4463CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 18.6 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4463CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4463CDY-T1-GE3

28 предложений от 12 поставщиков
VISHAY SI4463CDY-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
AiPCBA
Весь мир
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay
25 ₽
Maybo
Весь мир
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay
73 ₽
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay
от 112 ₽
Augswan
Весь мир
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 18.6 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4463CDY
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
FEATURES

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -18.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4463CDYT1GE3, SI4463CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4463CDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W/D, 20 V, 18.6 A, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка