Datasheet SI4463CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 18.6 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4463CDY-T1-GE3
![]() 28 предложений от 12 поставщиков VISHAY SI4463CDY-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV | |||
SI4463CDY-T1-GE3 Vishay | 25 ₽ | ||
SI4463CDY-T1-GE3 Vishay | 73 ₽ | ||
SI4463CDY-T1-GE3 Vishay | от 112 ₽ | ||
SI4463CDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 18.6 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4463CDY
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -18.6 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4463CDYT1GE3, SI4463CDY T1 GE3