Datasheet SIR316DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 30 А, PPK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR316DP-T1-GE3
5 предложений от 5 поставщиков МОП-транзистор 25 Volts 30 Amps 25 Watts | |||
| SIR316DP-T1-GE3 | по запросу | ||
| SIR316DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SIR316DP-T1-GE3 | по запросу | ||
| SIR316DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 30 А, PPK SO8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
New Product
SiR316DP
Vishay Siliconix
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 0.0054 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR316DPT1GE3, SIR316DP T1 GE3
