Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SIR640DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 40 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит

Наименование модели: SIR640DP-T1-GE3

6 предложений от 6 поставщиков
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
AiPCBA
Весь мир
SIR640DP-T1-GE3
Vishay
163 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIR640DP-T1-GE3
Vishay
167 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SIR640DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SIR640DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 40 В, 60 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR640DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0014 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR640DPT1GE3, SIR640DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR640DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 40 V, 60 A, PPK SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России