Datasheet SIR662DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 60 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR662DP-T1-GE3
![]() 37 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SIR662DP-T1-GE3 | от 25 ₽ | ||
SIR662DP-T1-GE3 Vishay | от 175 ₽ | ||
SIR662DP-T1-GE3 Vishay | 360 ₽ | ||
SIR662DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 60 В, 60 А, PPK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR662DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.0022 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 104 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR662DPT1GE3, SIR662DP T1 GE3