Datasheet SIR662DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 60 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит

Купить SIR662DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 7 123 ₽ 34 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 350А; 66,6Вт
Триема Россия	SIR662DP-T1-GE3	142 ₽	Купить
ЭИК Россия	SIR662DP-T1-GE3 Vishay	от 181 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SIR662DP-T1-GE3 Vishay	347 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SIR662DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 60 В, 60 А, PPK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR662DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.0022 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 104 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR662DPT1GE3, SIR662DP T1 GE3