Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SIR662DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 60 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит

Наименование модели: SIR662DP-T1-GE3

37 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
SIR662DP-T1-GE3
от 25 ₽
SIR662DP-T1-GE3
Vishay
от 175 ₽
Maybo
Весь мир
SIR662DP-T1-GE3
Vishay
360 ₽
SIR662DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 60 В, 60 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR662DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0022 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR662DPT1GE3, SIR662DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR662DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 60 V, 60 A, PPK SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка