Datasheet SIR802DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 20 В, 30 А, PPK SO8 — Даташит

Купить SIR802DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 50 до 198 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, VISHAY SIR802DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30A, 20V, 0.0041Ω, 10V, 600mV
AiPCBA Весь мир	SIR802DP-T1-GE3 Vishay	86 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SIR802DP-T1-GE3 Vishay	143 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SIR802DP-T1-GE3	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SIR802DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 20 В, 30 А, PPK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR802DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.0041 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 27.7 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR802DPT1GE3, SIR802DP T1 GE3