Datasheet SIR808DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 20 А, PPK SO8 — Даташит

Купить SIR808DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 218 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, VISHAY SIR808DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 25V, 0.0074Ω, 10V, 1V
AiPCBA Весь мир	SIR808DP-T1-GE3 Vishay	24 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SIR808DP-T1-GE3	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SIR808DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SIR808DP-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 20 А, PPK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR808DP
Vishay Siliconix
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
FEATURES
ID (A)a, g 20 20 Qg (Typ.) 7.5 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 0.0074 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 29.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR808DPT1GE3, SIR808DP T1 GE3