Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet SIR808DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 20 А, PPK SO8

Наименование модели: SIR808DP-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 25 В, 20 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR808DP
Vishay Siliconix
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
FEATURES
ID (A)a, g 20 20 Qg (Typ.) 7.5 nC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0074 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 29.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR808DPT1GE3, SIR808DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR808DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 25 V, 20 A, PPK SO8

    МОП-транзистор 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
Срезы ↓
Ультразвуковой датчик расстояния HC-SR04
Ультразвуковой датчик расстояния HC-SR04
Для проектов на Arduino и др.
Не зависит от освещенности и цвета объекта.
Цена: от 40 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
2 канала, 70 МГц, память 20 Мб, частота дискретизации 2,5 ГГц. Емкостной цветной сенсорный, диагональю 10.1 дюймов
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru