Datasheet SIR814DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 40 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR814DP-T1-GE3
![]() 10 предложений от 7 поставщиков VISHAY SIR814DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 1 V | |||
SIR814DP-T1-GE3 Vishay | от 179 ₽ | ||
SIR814DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIR814DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIR814DP-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 40 В, 60 А, PPK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR814DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 0.0017 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 104 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR814DPT1GE3, SIR814DP T1 GE3