Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet SIR814DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 40 В, 60 А, PPK SO8

Наименование модели: SIR814DP-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 40 В, 60 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR814DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0017 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR814DPT1GE3, SIR814DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR814DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIO, 40 V, 60 A, PPK SO8

Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru