Datasheet SIR826DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DIO, 80 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит

Купить SIR826DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 256 ₽ 32 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт
AiPCBA Весь мир	SIR826DP-T1-GE3 Vishay	41 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SIR826DP-T1-GE3 Vishay	от 118 ₽	Купить
Элитан Россия	SIR826DPT1GE3 Vishay	237 ₽	Купить
727GS Весь мир	SIR826DP-T1-GE3 Vishay	от 256 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DIO, 80 В, 60 А, PPK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR826DP
Vishay Siliconix
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 0.004 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 104 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR826DPT1GE3, SIR826DP T1 GE3