Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SIR870DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DI, 100 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит

Наименование модели: SIR870DP-T1-GE3

19 предложений от 8 поставщиков
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous
ЧипСити
Россия
SIR870DP-T1-GE3
Vishay
40 ₽
AiPCBA
Весь мир
SIR870DP-T1-GE3
Vishay
42 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIR870DPT1GE3
11 008 ₽
Acme Chip
Весь мир
SIR870DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DI, 100 В, 60 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR870DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR870DPT1GE3, SIR870DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR870DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DI, 100 V, 60 A, PPK SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России