Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SIR870DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DI, 100 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит

Наименование модели: SIR870DP-T1-GE3

33 предложений от 13 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
SIR870DP-T1-GE3
Vishay
от 208 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SIR870DP-T1-GE3
222 ₽
727GS
Весь мир
SIR870DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SIR870DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DI, 100 В, 60 А, PPK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR870DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR870DPT1GE3, SIR870DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR870DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DI, 100 V, 60 A, PPK SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка