Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212 — Даташит

Наименование модели: SIS330DN-T1-GE3

14 предложений от 11 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 19.1A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
ChipWorker
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
38 ₽
AiPCBA
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
48 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiS330DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0045 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 52 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIS330DNT1GE3, SIS330DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 35 A, PPK 1212

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка