HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212 — Даташит

Наименование модели: SIS330DN-T1-GE3

11 предложений от 8 поставщиков
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
AiPCBA
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
53 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
53 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SIS330DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiS330DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0045 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 52 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIS330DNT1GE3, SIS330DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 35 A, PPK 1212

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России