Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212 — Даташит
Наименование модели: SIS330DN-T1-GE3
Купить SIS330DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 281 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | |||
SIS330DN-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
SIS330DN-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
SIS330DN-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIS330DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212
Краткое содержание документа:
New Product
SiS330DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0045 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 52 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIS330DNT1GE3, SIS330DN T1 GE3