Datasheet SQ2301ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 3.9 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SQ2301ES-T1-GE3
![]() 37 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 3.9 А, 0.08 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
SQ2301ES-T1_GE3 Vishay | от 14 ₽ | ||
SQ2301ES-T1_GE3 Vishay | от 40 ₽ | ||
SQ2301ES-T1_GE3 Vishay | 42 ₽ | ||
SQ2301EST1_GE3 | 1 094 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 20 В, 3.9 А, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
SQ2301ES
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.9 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-236
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ2301EST1GE3, SQ2301ES T1 GE3