Datasheet SQ2315ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 12 В, 5 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SQ2315ES-T1-GE3
![]() 36 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 12 В, 5 А, 0.042 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
SQ2315ES-T1-GE3 Vishay | от 8.05 ₽ | ||
SQ2315ES-T1_GE3 Vishay | 35 ₽ | ||
SQ2315ES-T1-GE3 Vishay | от 42 ₽ | ||
SQ2315ES-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 12 В, 5 А, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
SQ2315ES
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -5 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 0.034 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-236
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ2315EST1GE3, SQ2315ES T1 GE3