Datasheet SQ2337ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 80 В, 2.2 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SQ2337ES-T1-GE3
![]() 25 предложений от 12 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23 | |||
SQ2337ES-T1_GE3 Vishay | 14 ₽ | ||
SQ2337ES-T1-GE3 Vishay | 43 ₽ | ||
SQ2337ES-T1-GE3 Vishay | от 91 ₽ | ||
SQ2337ES-T1_GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 80 В, 2.2 А, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
SQ2337ES
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.2 А
- Drain Source Voltage Vds: -80 В
- On Resistance Rds(on): 0.27 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ2337EST1GE3, SQ2337ES T1 GE3