Datasheet SQM120N06-04L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 120 А, TO263 — Даташит
Наименование модели: SQM120N06-04L-GE3
![]() 8 предложений от 6 поставщиков TRANSISTOR 120 A, 60 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General... | |||
SQM120N06-04L-GE3 Vishay | от 50 ₽ | ||
SQM120N06-04L-GE3 Vishay | от 50 ₽ | ||
SQM120N06-04L-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQM120N06-04L-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 120 А, TO263
Краткое содержание документа:
SQM120N06-04L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 60 0.0035 0.0050 120 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.0028 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQM120N0604LGE3, SQM120N06 04L GE3