Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SQM120N06-04L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 120 А, TO263 — Даташит

Vishay SQM120N06-04L-GE3

Наименование модели: SQM120N06-04L-GE3

TRANSISTOR 120 A, 60 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General...
AiPCBA
Весь мир
SQM120N06-04L-GE3
Vishay
474 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQM120N06-04L-GE3
Vishay
483 ₽
Akcel
Весь мир
SQM120N06-04L-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SQM120N06-04L-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 120 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQM120N06-04L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 60 0.0035 0.0050 120 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 375 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQM120N0604LGE3, SQM120N06 04L GE3

На английском языке: Datasheet SQM120N06-04L-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W/D, 60 V, 120 A, TO263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России