Datasheet SQM50P03-07-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 30 В, 50 А, TO263 — Даташит
Наименование модели: SQM50P03-07-GE3
![]() 18 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, VISHAY SQM50P03-07-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -50A, -30V, 0.005Ω, -10V, -2V | |||
SQM50P03-07_GE3 | от 46 ₽ | ||
SQM50P03-07-GE3 Vishay | 91 ₽ | ||
SQM50P03-07-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQM50P03-07-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 30 В, 50 А, TO263
Краткое содержание документа:
SQM50P03-07
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 30 0.0070 0.0110 - 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -50 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQM50P0307GE3, SQM50P03 07 GE3