Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363 — Даташит

Купить SI1922EDH-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.87 до 60 ₽ 28 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3A, 20V, 0.165Ω, 4.5V, 400mV
Компонентс Ру Россия	SI1922EDH-T1-GE3 Vishay	от 23 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI1922EDH-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI1922EDH-T1-GE3 Texas Instruments	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI1922EDH-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1922EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.198 at VGS = 4.5 V 0.225 at VGS = 2.5 V 0.263 at VGS = 1.8 V ID (A)a 1.3a 1.3a 1.3a 0.9 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.165 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1922EDHT1GE3, SI1922EDH T1 GE3