Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363 — Даташит
Наименование модели: SI1922EDH-T1-GE3
![]() 30 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70 | |||
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay | от 24 ₽ | ||
SI1922EDH-T1-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363
Краткое содержание документа:
Si1922EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.198 at VGS = 4.5 V 0.225 at VGS = 2.5 V 0.263 at VGS = 1.8 V ID (A)a 1.3a 1.3a 1.3a 0.9 nC Qg (Typ.)
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.165 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1922EDHT1GE3, SI1922EDH T1 GE3