AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363 — Даташит

Vishay SI1922EDH-T1-GE3

Наименование модели: SI1922EDH-T1-GE3

30 предложений от 15 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70
ЭИК
Россия
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay
от 24 ₽
Триема
Россия
SI1922EDH-T1-GE3-VB
142 ₽
727GS
Весь мир
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay
по запросу
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1922EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.198 at VGS = 4.5 V 0.225 at VGS = 2.5 V 0.263 at VGS = 1.8 V ID (A)a 1.3a 1.3a 1.3a 0.9 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.165 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1922EDHT1GE3, SI1922EDH T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, 20 V, 1.3 A, SOT363

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка