Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363 — Даташит

Купить SI1922EDH-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.29 до 1 151 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70
Стандарт СИЗ Россия	SI1922EDH-T1-GE3 Vishay	5.29 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SI1922EDH-T1-GE3 Vishay	от 12 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI1922EDH-T1-GE3 Vishay	18 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI1922EDHT1GE3	1 151 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1922EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.198 at VGS = 4.5 V 0.225 at VGS = 2.5 V 0.263 at VGS = 1.8 V ID (A)a 1.3a 1.3a 1.3a 0.9 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.165 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1922EDHT1GE3, SI1922EDH T1 GE3