Datasheet SI3993CDV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 30 В, 2.9 А, W/D, TSOP6 — Даташит
Наименование модели: SI3993CDV-T1-GE3
Купить SI3993CDV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.76 до 1 544 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -8А | |||
SI3993CDV-T1-GE3 Vishay | 7.76 ₽ | ||
SI3993CDV-T1-GE3 Vishay | 11 ₽ | ||
SI3993CDV-T1-GE3 Vishay | от 38 ₽ | ||
SI3993CDV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 30 В, 2.9 А, W/D, TSOP6
Краткое содержание документа:
New Product
Si3993CDV
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -2.9 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.092 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3993CDVT1GE3, SI3993CDV T1 GE3