Datasheet SI4202DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 30 В, 12.1 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4202DY-T1-GE3
![]() 31 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,1А; Idm: 50А; 2,6Вт; SO8 | |||
SI4202DY-T1-GE3 | от 15 ₽ | ||
SI4202DY-T1-GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SI4202DY-T1-GE3 Vishay | 108 ₽ | ||
SI4202DY-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 30 В, 12.1 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4202DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.014 at VGS = 10 V 0.017 at VGS = 4.5 V ID (A) 12.1 11 Qg (Typ.) 5.4 nC
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0115 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 3.7 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4202DYT1GE3, SI4202DY T1 GE3