Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI4202DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 30 В, 12.1 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4202DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4202DY-T1-GE3

22 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,1А; Idm: 50А; 2,6Вт; SO8
Akcel
Весь мир
SI4202DY-T1-GE3
Vishay
от 27 ₽
ЧипСити
Россия
SI4202DY-T1-GE3
Vishay
39 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4202DY-T1-GE3
Vishay
53 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4202DYT1GE3
3 547 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 30 В, 12.1 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4202DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.014 at VGS = 10 V 0.017 at VGS = 4.5 V ID (A) 12.1 11 Qg (Typ.) 5.4 nC

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0115 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.7 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4202DYT1GE3, SI4202DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4202DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, W/D, 30 V, 12.1 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России