Datasheet SI4288DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 40 В, 9.2 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4288DY-T1-GE3
Купить SI4288DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 4 988 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков Compliant Surface Mount 1.75 mm 506.605978 mg 8 ns Lead Free Digi-Reel® No SVHC | |||
SI4288DY-T1-GE3 Vishay | 26 ₽ | ||
SI4288DY-T1-GE3 Vishay | от 49 ₽ | ||
SI4288DY-T1-GE3 Vishay | 90 ₽ | ||
SI4288DYT1GE3 | 4 988 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 40 В, 9.2 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4288DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.020 at VGS = 10 V 0.023 at VGS = 4.5 V ID (A)a 9.2 8.6 Qg (Typ.) 4.9
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 0.0165 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4288DYT1GE3, SI4288DY T1 GE3