Datasheet SI4501BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8 — Даташит

Купить SI4501BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.05 до 1 891 ₽ 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, SOIC-8 N+P 30V,8V 12A 13.5mΩ,21mΩ
AiPCBA Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	14 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	17 ₽	Купить
Триема Россия	SI4501BDY-T1-GE3	142 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4501BDY
Vishay Siliconix
Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 30 -8 RDS(on) () 0.017 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V 0.027 at VGS = - 4.5 V 0.037 at VGS = - 2.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 12 11 -8 - 6.8 7.9 16.5

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.0135 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 4.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4501BDYT1GE3, SI4501BDY T1 GE3