Datasheet SI4564DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, W/DIODE, 40 В, SO8 — Даташит

Купить SI4564DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 4 611 ₽ 28 предложений от 12 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 40 В, 10 А, 0.0145 Ом, SOIC, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	SI4564DY-T1-GE3 Vishay	23 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4564DY-T1-GE3 Vishay	63 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	SI4564DY-T1-GE3 Vishay	от 153 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SI4564DY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, W/DIODE, 40 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4564DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 40 - 40 RDS(on) () 0.0175 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V 0.021 at VGS = - 10 V 0.028 at VGS = - 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 10 9.2 - 9.2 - 7.4 9.8 21.7

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 0.0145 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4564DYT1GE3, SI4564DY T1 GE3