Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI4650DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, SCH диод, 30 В, SO8 — Даташит

Vishay SI4650DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4650DY-T1-GE3

5 предложений от 5 поставщиков
Труба MOS, MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
SI4650DY-T1-E3
Vishay
74 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4650DY-T1-E3
Vishay
80 ₽
Maybo
Весь мир
SI4650DY-T1-E3
Vishay
по запросу
SI4650DY-T1-E3
Vishay
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, SCH диод, 30 В, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4650DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) Channel-1 Channel-2 30 30 RDS(on) () 0.018 at VGS = 10 V 0.022 at VGS = 4.5 V 0.018 at VGS = 10 V 0.022 at VGS = 4.5 V ID (A)a, e Qg (Typ.) 8.0 8.0 8.0 8.0 10.5 10.5

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.014 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4650DYT1GE3, SI4650DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4650DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30 V, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка