Datasheet SI4650DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, SCH диод, 30 В, SO8 — Даташит

Vishay SI4650DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4650DY-T1-GE3

Купить SI4650DY-T1 на РадиоЛоцман.Цены Trans Mosfet N-ch 30V 7.8A 8-PIN SOIC N T/r
AiPCBA Весь мир	SI4650DY-T1-E3 Vishay	85 ₽
ChipWorker Весь мир	SI4650DY-T1-E3 Vishay	85 ₽
ЭлектроПласт Россия	SI4650DY-T1-E3 Vishay	по запросу
Acme Chip Весь мир	SI4650DY-T1-E3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, SCH диод, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4650DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) Channel-1 Channel-2 30 30 RDS(on) () 0.018 at VGS = 10 V 0.022 at VGS = 4.5 V 0.018 at VGS = 10 V 0.022 at VGS = 4.5 V ID (A)a, e Qg (Typ.) 8.0 8.0 8.0 8.0 10.5 10.5

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 8 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.014 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4650DYT1GE3, SI4650DY T1 GE3