Datasheet SI5997DU-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 30 В, 6 А, PPK CHIPFET — Даташит
Наименование модели: SI5997DU-T1-GE3
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI5997DU-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual P Channel, -6A, -30V, 0.045Ω, -10V, -1.2V | |||
SI5997DU-T1-GE3 Vishay | 18 ₽ | ||
SI5997DU-T1-GE3 Vishay | 136 ₽ | ||
SI5997DU-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5997DU-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 30 В, 6 А, PPK CHIPFET
Краткое содержание документа:
Si5997DU
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.054 at VGS = - 10 V 0.088 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 6a - 6a Qg (Typ.) 4.8 nC
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -6 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 10.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5997DUT1GE3, SI5997DU T1 GE3