Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SIZ900DT-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, PPAIR 6X5 — Даташит

Наименование модели: SIZ900DT-T1-GE3

7 предложений от 4 поставщиков
MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
Akcel
Весь мир
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay
от 24 ₽
AiPCBA
Весь мир
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay
118 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay
119 ₽
Acme Chip
Весь мир
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, PPAIR 6X5

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiZ900DT
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
FEATURES PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 24 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0059 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 48 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PowerPAIR
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SIZ900DTT1GE3, SIZ900DT T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIZ900DT-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, 30 V, PPAIR 6X5

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России