Datasheet 1MBI600V-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, В SER, 600 А, 1200 В, M127-G — Даташит
Наименование модели: 1MBI600V-120-50
6 предложений от 6 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000000mW 4Pin | |||
1MBI600V-120-50 Fuji | 10 864 ₽ | ||
1MBI600V-120-50 Fujitsu | по запросу | ||
1MBI600V-120-50 Fuji | по запросу | ||
1MBI600V-120-50 Fuji Electric | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, В SER, 600 А, 1200 В, M127-G
Краткое содержание документа:
This material and the information herein is the property of Fuji Electric Systems Co.,Ltd.
They shall be neither reproduced , copied , lent , or disclosed in any way whatsoever for the use of any third party nor used for the manufacturing purposes without the express written consent of Fuji Electric Systems Co.,Ltd.
DRAWN CHECKED
DATE Aug.-12-'10 Aug.-12-'10
Spec. No.
Type Name
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 720 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Рассеиваемая мощность: 3 кВт
RoHS: есть
Варианты написания:
1MBI600V12050, 1MBI600V 120 50