Datasheet 1MBI900V-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, В SER, 900 А, 1200 В, M127-G — Даташит
Наименование модели: 1MBI900V-120-50
| 1MBI900V-120-50 Fuji Electric | по запросу | ||
| 1MBI900V-120-50 Fuji Electric | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, В SER, 900 А, 1200 В, M127-G
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
This material and the information herein is the property of Fuji Electric Systems Co.,Ltd.
They shall be neither reproduced , copied , lent , or disclosed in any way whatsoever for the use of any third party nor used for the manufacturing purposes without the express written consent of Fuji Electric Systems Co.,Ltd.
2. Equivalent Circuit
(a)
1. Outline Drawing ( Unit : mm )
Type Name: 1MBI900V-120-50
Спецификации:
- Module Configuration: Single
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 1.04 кА
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Рассеиваемая мощность: 4.3 кВт
RoHS: есть
Варианты написания:
1MBI900V12050, 1MBI900V 120 50
