Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet 2MBI200VH-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PK, В SE, 200 А, 1200 В, M249G — Даташит

Fuji Electric 2MBI200VH-120-50

Наименование модели: 2MBI200VH-120-50

Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1110000mW 7Pin
ChipWorker
Весь мир
2MBI200VH-120-50
Fuji
8 645 ₽
Augswan
Весь мир
2MBI200VH-120-50
по запросу
Maybo
Весь мир
2MBI200VH-120-50
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
2MBI200VH-120-50
Fuji
по запросу
КОМПЭЛ представляет техническое руководство по выбору компонентов Hongfa для зарядных станций

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, 2 PK, В SE, 200 А, 1200 В, M249G

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 240 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
  • Корпус транзистора: Module
  • Рассеиваемая мощность: 1.11 кВт

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI200VH12050, 2MBI200VH 120 50

На английском языке: Datasheet 2MBI200VH-120-50 - Fuji Electric IGBT, 2 PK, V SE, 200 A, 1200 V, M249G

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка