HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet 2MBI200VH-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PK, В SE, 200 А, 1200 В, M249G — Даташит

Fuji Electric 2MBI200VH-120-50

Наименование модели: 2MBI200VH-120-50

AliExpress
Весь мир
IGBT модуль 2MBI300VH-120-50 2MBI200VH-120-50 2MBI150VH-120-50 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 2MBI200U4H-120 2MBI150U4H-120 2MBI150U4H-120
3 458 ₽
Acme Chip
Весь мир
2MBI200VH120-50
Fujitsu
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, 2 PK, В SE, 200 А, 1200 В, M249G

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 240 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
  • Корпус транзистора: Module
  • Рассеиваемая мощность: 1.11 кВт

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI200VH12050, 2MBI200VH 120 50

На английском языке: Datasheet 2MBI200VH-120-50 - Fuji Electric IGBT, 2 PK, V SE, 200 A, 1200 V, M249G

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России