Datasheet 2MBI200VH-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PK, В SE, 200 А, 1200 В, M249G — Даташит
Наименование модели: 2MBI200VH-120-50
IGBT модуль 2MBI300VH-120-50 2MBI200VH-120-50 2MBI150VH-120-50 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 2MBI200U4H-120 2MBI150U4H-120 2MBI150U4H-120 | 3 458 ₽ | ||
2MBI200VH120-50 Fujitsu | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, 2 PK, В SE, 200 А, 1200 В, M249G
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 240 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Рассеиваемая мощность: 1.11 кВт
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI200VH12050, 2MBI200VH 120 50