Datasheet 2MBI300VN-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PK, В SER, 300 А, 1200 В, M254 — Даташит
Наименование модели: 2MBI300VN-120-50
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 1595000mW 11Pin | |||
2MBI300VN12050 | 613 262 ₽ | ||
2MBI300VN-120-50-M | по запросу | ||
2MBI300VN-120-50-M | по запросу | ||
2MBI300VN-120-50 Fuji | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, 2 PK, В SER, 300 А, 1200 В, M254
Краткое содержание документа:
This material and the information herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.
They shall be neither reproduced, copied, lent, or disclosed in any way whatsoever for the use of any third party nor used for the manufacturing purposes without the express written consent of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.
2. Equivalent Circuit
OUT
G2 C P
G1
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 300 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Рассеиваемая мощность: 1.595 кВт
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI300VN12050, 2MBI300VN 120 50