Datasheet 2MBI450VE-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PK, В SE, 450 А, 1200 В, M238G — Даташит
Наименование модели: 2MBI450VE-120-50
5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 3350000mW 7Pin | |||
2MBI450VE-120-50 Fuji | 16 215 ₽ | ||
2MBI450VE-120-50 Fujitsu | по запросу | ||
2MBI450VE-120-50 Fuji Electric | по запросу | ||
2MBI450VE-120-50 Fuji Electric | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, 2 PK, В SE, 450 А, 1200 В, M238G
Краткое содержание документа:
This material and the information herein is the property of Fuji Electric Co.,Ltd.
They shall be neither reproduced , copied , lent , or disclosed in any way whatsoever for the use of any third party nor used for the manufacturing purposes without the express written consent of Fuji Electric Co.,Ltd.
DRAWN
CHECKED
DATE
Mar.-2nd-'11
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 520 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Рассеиваемая мощность: 3.35 кВт
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI450VE12050, 2MBI450VE 120 50