Datasheet DMG1012UW - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 20 В, 1 А, SOT323 — Даташит
Наименование модели: DMG1012UW
![]() 45 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 20 В, 1 А, 0.3 Ом, SOT-323, Surface Mount | |||
DMG1012UW Diodes | от 9.90 ₽ | ||
DMG1012UW-7-F Diodes | от 52 ₽ | ||
DMG1012UW-7 Diodes | по запросу | ||
DMG1012UW-7 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 20 В, 1 А, SOT323
Краткое содержание документа:
DMG1012UW
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) ESD Protected Up To 2KV "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 290 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть