Datasheet DMG8880LSS - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 30 В, 11.6 А, SO8 — Даташит

Купить DMG8880LSS на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 30 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков , N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Maybo Весь мир	DMG8880LSS-13 Diodes	26 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	DMG8880LSS-13 Diodes	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	DMG8880LSS Diodes	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	DMG8880LSS-13 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 30 В, 11.6 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMG8880LSS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· · · · · · · Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.007 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1.43 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть